Memoria Flash Infineon NOR, 512 MB, SOIC, 64 Pin, SPI S25FL512SAGBHVA10

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Codice RS:
273-5406
Codice costruttore:
S25FL512SAGBHVA10
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Memoria Flash

Dimensione memoria

512MB

Tipo di interfaccia

SPI

Tipo di package

SOIC

Numero pin

64

Organizzazione

64 MB

Frequenza di clock massima

133MHz

Tipo di cella

NOR

Tensione massima di alimentazione

3.6V

Tensione minima di alimentazione

2.7V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q100

La memoria Flash Infineon offre alte densità unite alla flessibilità e alle prestazioni rapide richieste da una varietà di applicazioni integrate. È ideale per l'ombreggiatura del codice, XIP e l'archiviazione dei dati. L'esecuzione del codice direttamente dalla memoria flash è spesso denominata Execute in Place o XIP. Utilizzando i dispositivi FL S con le velocità di clock più elevate supportate, con i comandi QIO o DDR QIO, la velocità di trasferimento di lettura delle istruzioni può corrispondere o superare le tradizionali interfacce parallele, asincrone, memorie flash NOR riducendo al contempo notevolmente il conteggio del segnale.

Contenitore senza piombo

SPI con IO multiplo

Protezione del settore avanzata

Conservazione dei dati per un minimo di 20 anni

Nucleo CMOS 3,0 V con IO versatile

Minimo di 100000 cicli di programmazione e cancellazione

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