Memoria Flash, 512Mbit, SOIC, 64 Pin, SPI
- Codice RS:
- 273-5407
- Codice costruttore:
- S25FL512SAGBHVA10
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-5407
- Codice costruttore:
- S25FL512SAGBHVA10
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Dimensioni memoria | 512Mbit | |
| Interfacce | SPI | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 64 | |
| Organizzazione | 64 MB | |
| Tipo di cella | NOR | |
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|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Dimensioni memoria 512Mbit | ||
Interfacce SPI | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 64 | ||
Organizzazione 64 MB | ||
Tipo di cella NOR | ||
La memoria Flash Infineon offre alte densità unite alla flessibilità e alle prestazioni rapide richieste da una varietà di applicazioni integrate. È ideale per l'ombreggiatura del codice, XIP e l'archiviazione dei dati. L'esecuzione del codice direttamente dalla memoria flash è spesso denominata Execute in Place o XIP. Utilizzando i dispositivi FL S con le velocità di clock più elevate supportate, con i comandi QIO o DDR QIO, la velocità di trasferimento di lettura delle istruzioni può corrispondere o superare le tradizionali interfacce parallele, asincrone, memorie flash NOR riducendo al contempo notevolmente il conteggio del segnale.
Contenitore senza piombo
SPI con IO multiplo
Protezione del settore avanzata
Conservazione dei dati per un minimo di 20 anni
Nucleo CMOS 3,0 V con IO versatile
Minimo di 100000 cicli di programmazione e cancellazione
SPI con IO multiplo
Protezione del settore avanzata
Conservazione dei dati per un minimo di 20 anni
Nucleo CMOS 3,0 V con IO versatile
Minimo di 100000 cicli di programmazione e cancellazione
