FRAM Infineon, SPI, 4 kB, SOIC, 8 Pin, 512 x 8 bit

La FRAM Infineon è una memoria non volatile da 4 Kbit che impiega un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriali, EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza delle flash seriali e delle EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.

Conformità alla direttiva RoHS