FRAM Infineon, Seriale SPI, 4 kB, 8 Pin FM25L04B-G, No
- Codice RS:
- 273-7387
- Codice costruttore:
- FM25L04B-G
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,91 € | 3,82 € |
| 10 - 18 | 1,715 € | 3,43 € |
| 20 - 48 | 1,68 € | 3,36 € |
| 50 - 98 | 1,645 € | 3,29 € |
| 100 + | 1,51 € | 3,02 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7387
- Codice costruttore:
- FM25L04B-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 4kB | |
| Tipo di interfaccia | Seriale SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 20MHz | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Standard automobilistico | No | |
| Minima temperatura operativa | 40°C | |
| Numero parole | 512 | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 4kB | ||
Tipo di interfaccia Seriale SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 20MHz | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Standard automobilistico No | ||
Minima temperatura operativa 40°C | ||
Numero parole 512 | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
La FRAM di Infineon è una memoria non volatile da 4 Kbit che utilizza un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriali, EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza delle flash seriali e delle EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conforme a RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia periferica seriale molto veloce
Sofisticato schema di protezione dalla scrittura
Elevata resistenza di 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
