FRAM Infineon, Seriale SPI, 4 kB, SOIC, 8 Pin, 512 x 8 bit FM25L04B-G
- Codice RS:
- 273-7386
- Codice costruttore:
- FM25L04B-G
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 1,224 € | 118,73 € |
| 194 + | 1,079 € | 104,66 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 273-7386
- Codice costruttore:
- FM25L04B-G
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | FRAM | |
| Dimensione memoria | 4kB | |
| Organizzazione | 512 x 8 bit | |
| Tipo di interfaccia | Seriale SPI | |
| Larghezza bus dati | 8bit | |
| Frequenza di clock massima | 20MHz | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Standard/Approvazioni | Restriction of hazardous substances (RoHS) | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero parole | 512 | |
| Minima temperatura operativa | 40°C | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Tensione minima di alimentazione | 2.7V | |
| Tensione massima di alimentazione | 3.6V | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto FRAM | ||
Dimensione memoria 4kB | ||
Organizzazione 512 x 8 bit | ||
Tipo di interfaccia Seriale SPI | ||
Larghezza bus dati 8bit | ||
Frequenza di clock massima 20MHz | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Standard/Approvazioni Restriction of hazardous substances (RoHS) | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero parole 512 | ||
Minima temperatura operativa 40°C | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Standard automobilistico No | ||
Tensione minima di alimentazione 2.7V | ||
Tensione massima di alimentazione 3.6V | ||
La FRAM Infineon è una memoria non volatile da 4 Kbit che impiega un processo ferroelettrico avanzato. Una memoria ad accesso casuale ferroelettrica o FRAM non è volatile ed esegue letture e scritture simili a quelle di una RAM. Offre una conservazione affidabile dei dati per 151 anni, eliminando al contempo le complessità, l'overhead e i problemi di affidabilità a livello di sistema causati da flash seriali, EEPROM e altre memorie non volatili. A differenza delle flash seriali e delle EEPROM, esegue operazioni di scrittura alla velocità del bus. Non si verificano ritardi di scrittura. I dati vengono scritti nell'array di memoria immediatamente dopo che ogni byte è stato trasferito con successo al dispositivo. Il ciclo di bus successivo può iniziare senza la necessità di effettuare il polling dei dati. Inoltre, il prodotto offre una notevole resistenza alla scrittura rispetto ad altre memorie non volatili.
Conformità alla direttiva RoHS
Basso consumo energetico
Interfaccia periferica seriale molto veloce
Schema di protezione in scrittura sofisticato
Elevata resistenza 100 trilioni di letture e scritture
Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
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