MOSFET STMicroelectronics, canale N 500 V, 0.34 Ω Miglioramento, 14 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW15NK50Z
- Codice RS:
- 151-456
- Codice costruttore:
- STW15NK50Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-456
- Codice costruttore:
- STW15NK50Z
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 14A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | SuperMESH | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.34Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | 50°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 76nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 15.75mm | |
| Lunghezza | 34.95mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 5.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 14A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie SuperMESH | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.34Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa 50°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 76nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 15.75mm | ||
Lunghezza 34.95mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 5.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza di STMicroelectronics è stato sviluppato con la tecnologia Super MESH, ottenuta grazie all'ottimizzazione del consolidato layout Power MESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza di accensione, questo dispositivo è stato progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più esigenti.
100% testato a valanga
Carica di gate ridotta al minimo
Capacità intrinseca molto bassa
Ottima ripetibilità di produzione
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