MOSFET STMicroelectronics, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-247, Su foro

Codice RS:: 761-0288
Codice costruttore:: STW19NM50N
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-247, Su foro

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Codice RS:: 761-0288
Codice costruttore:: STW19NM50N
Costruttore:: STMicroelectronics

N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	14 A
Tensione massima drain source	500 V
Tipo di package	TO-247
Serie	MDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	250 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	110 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Lunghezza	15.75mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.15mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	34 nC a 10 V
Altezza	20.15mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 250 mΩ, 14 A, TO-247, Su foro

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MDmesh™ a canale N, 500 V, STMicroelectronics

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