MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 43 mΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STWA60N043DM9

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Codice RS:
275-1383
Codice costruttore:
STWA60N043DM9
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Serie

STW

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

43mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

312W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh DM9 a super giunzione, adatta per i MOSFET a media o alta tensione con RDS(on) molto basso per area accoppiato con un diodo di recupero rapido. La tecnologia DM9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata.

Diodo con corpo di recupero rapido

Miglior RDS a livello mondiale per area tra i dispositivi di recupero rapido a base di silicio

Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza

Testato al 100% contro le valanghe

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