MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 43 mΩ Miglioramento, 56 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STWA60N043DM9
- Codice RS:
- 275-1384
- Codice costruttore:
- STWA60N043DM9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 275-1384
- Codice costruttore:
- STWA60N043DM9
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 56A | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 43mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 312W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 56A | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie STW | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 43mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 312W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics è basato sulla più innovativa tecnologia MDmesh DM9 a super giunzione, adatta per i MOSFET a media o alta tensione con RDS(on) molto basso per area accoppiato con un diodo di recupero rapido. La tecnologia DM9 a base di silicio beneficia di un processo di fabbricazione multi-drenaggio che consente una struttura del dispositivo migliorata.
Diodo con corpo di recupero rapido
Miglior RDS a livello mondiale per area tra i dispositivi di recupero rapido a base di silicio
Bassa carica del gate, capacità di ingresso e resistenza
Testato al 100% contro le valanghe
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