MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 60 V, 0.028 Ω Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-912
Codice costruttore:
STD35P6LLF6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

STripFET F6

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.028Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale P STMicroelectronics, sviluppato utilizzando la tecnologia STripFET F6, con una nuova struttura di gate a trincea. Il MOSFET di potenza risultante presenta un RDS(on) molto basso in tutti i contenitori.

Resistenza all'accensione molto bassa

Carica gate molto bassa

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Bassa perdita di potenza dell'azionamento del gate

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