MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo P 60 V, 0.028 Ω Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-252 STD35P6LLF6

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-912
Codice costruttore:
STD35P6LLF6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

STripFET F6

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.028Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Dissipazione di potenza massima Pd

70W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale P STMicroelectronics, sviluppato utilizzando la tecnologia STripFET F6, con una nuova struttura di gate a trincea. Il MOSFET di potenza risultante presenta un RDS(on) molto basso in tutti i contenitori.

Resistenza all'accensione molto bassa

Carica gate molto bassa

Elevata resistenza alle scariche disruptive a valanga

Bassa perdita di potenza dell'azionamento del gate

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