MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante STW8N120K5
- Codice RS:
- 151-923
- Codice costruttore:
- STW8N120K5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 151-923
- Codice costruttore:
- STW8N120K5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.7nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 130W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.7nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 130W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è progettato con la tecnologia MDmesh K5, basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza di accensione e una bassissima carica di gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.
RDS(on) x area più bassa del settore
Il miglior FoM del settore
Carica di gate bassissima
Testato al 100% a valanga
Protetto da Zener
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