MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 2 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-247 STW8N120K5

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Codice RS:
151-922
Codice costruttore:
STW8N120K5
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

MDmesh K5

Tipo di package

TO-247

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

130W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è progettato con la tecnologia MDmesh K5, basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una drastica riduzione della resistenza di accensione e una bassissima carica di gate per le applicazioni che richiedono una densità di potenza superiore e un'elevata efficienza.

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