MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 15 Ω Miglioramento, 300 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie STN1NK60Z

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Codice RS:
151-927
Codice costruttore:
STN1NK60Z
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

300mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

SuperMESH

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.9nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.7 mm

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia Super MESH, ottenuta attraverso l'ottimizzazione di un layout Power MESH basato su strisce ben consolidato. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Carica gate ridotta al minimo

Capacità SD migliorata

Protezione Zener

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