MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 60 V, 7 mΩ Miglioramento, 4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 233-3091
- Codice costruttore:
- STN3NF06
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,191 € | 764,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 233-3091
- Codice costruttore:
- STN3NF06
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | STN3N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 3.3W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.6mm | |
| Larghezza | 7 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie STN3N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 3.3W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.6mm | ||
Larghezza 7 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è l'ultima evoluzione dell'esclusivo processo basato su striscia "dimensione singola caratteristica™" STMicroelectronics. Il transistore risultante presenta una densità di impaccamento estremamente elevata per una bassa resistenza all'accensione, caratteristiche a valanga robuste e fasi di allineamento meno critiche, quindi una notevole riproducibilità di fabbricazione.
Eccezionale capacità dv/dt
Tecnologia a valanga resistente
Testato con effetto valanga al 100%
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