MOSFET STMicroelectronics, canale N 60 V, 0.1 Ω Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Montaggio superficiale STD12NF06T4

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Codice RS:
151-936
Codice costruttore:
STD12NF06T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STripFET II

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.1Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

30W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
La serie Power MOSFET di STMicroelectronics è stata sviluppata utilizzando il processo STripFET, appositamente progettato per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica del gate. Ciò rende il dispositivo adatto per l'uso come interruttore primario in convertitori c.c.-c.c. isolati ad alta efficienza avanzati per applicazioni di telecomunicazioni e informatiche.

Eccezionale capacità dv/dt

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Bassa carica del gate

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