MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.7 kV, 1 GΩ Miglioramento, 4 A, 8 Pin, SO-8, Superficie STGAP2SICSNC

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Codice RS:
152-180
Codice costruttore:
STGAP2SICSNC
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.7kV

Tipo di package

SO-8

Serie

STGAP2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1GΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.75mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il driver a gate singolo STMicroelectronics fornisce un isolamento galvanico tra il canale di azionamento del gate e il circuito di controllo e interfaccia a bassa tensione. Il gate driver è caratterizzato da una capacità di 4 A e da uscite rail-to-rail, che lo rendono adatto anche ad applicazioni di media e alta potenza come la conversione di potenza e gli inverter per motori in applicazioni industriali.

Opzione sink e source separati per una facile configurazione del pilotaggio del gate

Opzione pin dedicato Miller CLAMP da 4 A

Funzione UVLO

Tensione di pilotaggio del gate fino a 26 V

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