MOSFET DiodesZetex, canale P, 20 Ω, 75 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 154-914
Codice costruttore:: ZVP3310FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 20 Ω, 75 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 154-914
Codice costruttore:: ZVP3310FTA
Costruttore:: DiodesZetex

ZVP3310F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Data Sheet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	75 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	20 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Dissipazione di potenza massima	330 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.05mm
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 20 Ω, 75 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc

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