MOSFET DiodesZetex, canale P, 18 Ω, 197 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-1265
Codice costruttore:: ZVP4525E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 18 Ω, 197 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

5260 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,56 €

(IVA esclusa)

0,68 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,56 €	1.680,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 122-1265
Codice costruttore:: ZVP4525E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

Documentazione Tecnica

Normative

Paese di origine:: CN

Dettagli prodotto

MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc

Transistor MOSFET, Diodes Inc.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	197 mA
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	18 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-40 V, +40 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.75mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,45 nC a 10 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C