MOSFET DiodesZetex, canale P, 18 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-5275
Codice costruttore:: ZVP4525E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 18 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-5275
Codice costruttore:: ZVP4525E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

250V P-Channel Enhancement Mode Mosfet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	200 mA
Tensione massima drain source	250 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	18 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Dissipazione di potenza massima	1,1 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-40 V, +40 V
Lunghezza	3mm
Larghezza	1.75mm
Carica gate tipica @ Vgs	2,45 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 18 Ω, 200 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 100 V a 450 V, Diodes Inc

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