MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 500 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 155-135
Codice costruttore:: ZVN2110GTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 500 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 10**

0,219 €

(IVA esclusa)

0,267 €

(IVA inclusa)

50 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
10 +	0,219 €	2,19 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 155-135
Codice costruttore:: ZVN2110GTA
Costruttore:: DiodesZetex

ZVN2110G SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Data Sheet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	500 mA
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.7mm
Larghezza	3.7mm
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.65mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 4 Ω, 500 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc

Link consigliati