MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 100 V, 4 Ω Miglioramento, 500 mA, 4 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 121-9939
- Codice costruttore:
- ZVN2110GTA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Prezzo per 1 bobina da 1000 unità*
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 121-9939
- Codice costruttore:
- ZVN2110GTA
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 500mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | -4V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Larghezza | 3.7 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.65mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 500mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf -4V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Larghezza 3.7 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.65mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- DE
MOSFET a canale N, da 100 a 950 V, Diodes Inc
Transistor MOSFET, Diodes Inc.
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