MOSFET IXYS, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 60 mΩ, 50 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-420P
Price: 5.86 EUR
Availability: InStock

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Unità	Per unità
10 - 24	4,80 €
25 +	4,13 €

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	200 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	360 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.66mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Larghezza	4.83mm
Altezza	9.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C