MOSFET IXYS, canale Tipo N 200 V, 22 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH120N20P

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

16,18 €

(IVA esclusa)

19,74 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Scorte limitate
  • 3 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 416,18 €
5 - 1914,89 €
20 - 4914,10 €
50 - 9910,85 €
100 +10,37 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
193-458
Codice Distrelec:
302-53-308
Codice costruttore:
IXFH120N20P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-247

Serie

HiperFET, Polar

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

714W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

152nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

21.46mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.26mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.