MOSFET IXYS, canale N, 22 mΩ, 120 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 22 mΩ, 120 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-458
Price: 16.42 EUR
Availability: InStock

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Unità

13,46 €

(IVA esclusa)

16,42 €

(IVA inclusa)

1 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 A
Tensione massima drain source	200 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	22 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	714 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.3mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	152 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	16.26mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	21.46mm

Link consigliati