MOSFET IXYS, canale Tipo N 200 V, 22 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 30 unità*

273,99 €

(IVA esclusa)

334,26 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
30 +9,133 €273,99 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-4466
Codice costruttore:
IXFH120N20P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

152nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

714W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.26mm

Larghezza

5.3 mm

Altezza

21.46mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati