MOSFET IXYS, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 25 mΩ, 75 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-486P
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	75 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	25 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	360 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	74 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm