MOSFET IXYS, canale N, 9 mΩ, 170 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 9 mΩ, 170 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-509
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Documentazione Tecnica

MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS

Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	170 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	714 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	198 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	16.26mm
Larghezza	5.3mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	21.46mm