MOSFET IXYS, canale Tipo N 500 V, 100 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante
- Codice RS:
- 168-4730
- Codice costruttore:
- IXFH60N50P3
- Costruttore:
- IXYS
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 168-4730
- Codice costruttore:
- IXFH60N50P3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.04kW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 96nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 5.3 mm | |
| Altezza | 21.46mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 16.26mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.04kW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 96nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 5.3 mm | ||
Altezza 21.46mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 16.26mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- US
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS
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