MOSFET IXYS, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 110 mΩ, 36 A, TO-220, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 193-622P
Price: 5.19 EUR
Availability: BackOrder

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Pezzo (fornito in stecca)**

4,43 €

(IVA esclusa)

5,40 €

(IVA inclusa)

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

**prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	36 A
Tensione massima drain source	300 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-220
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	300 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	10.66mm
Larghezza	4.83mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	70 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	9.15mm