MOSFET IXYS, canale N, 230 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 230 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 194-530P
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	26 A
Tensione massima drain source	500 V
Serie	HiperFET, Polar
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	230 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5.5V
Dissipazione di potenza massima	400 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Larghezza	5.3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	60 nC a 10 V
Lunghezza	16.26mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	21.46mm
Minima temperatura operativa	-55 °C