MOSFET Nexperia, canale Tipo N 25 V, 1.88 mΩ Miglioramento, 185 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R6-25YLEX

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Codice RS:
219-385
Codice costruttore:
PSMN1R6-25YLEX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

185A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.88mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

124W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
L'ASFET a canale N N Nexperia in un contenitore LFPAK56 è ottimizzato per un basso RDS(on) e una forte area di funzionamento sicura, il che lo rende ideale per le applicazioni di swap a caldo, inrush e in modalità lineare. Le applicazioni principali includono la sostituzione a caldo in sistemi da 12 V a 20 V, fusibili elettronici, interruttori c.c., interruttori di carico e protezione della batteria.

Clip in rame per bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore LFPAK ad elevata affidabilità

Qualificato fino a 175 °C

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