MOSFET Nexperia, canale Tipo N 80 V, 88 mΩ Miglioramento, 26 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie

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Codice RS:
152-7741
Codice costruttore:
BUK9M35-80EX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

BUK9M3580E

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

88mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

62W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

0.9mm

Larghezza

2.6 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET a canale N di livello logico da 35 mΩ, 80 V, in contenitore LFPAK33. MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK33 (Power33) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC-Q101 per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni nel settore automobilistico.

Conforme a Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C

Sistemi automobilistici a 12 V, 24 V e 48 V

Controllo di motori, lampade e solenoidi

Controllo della trasmissione

Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate

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