MOSFET Nexperia, canale Tipo N 80 V, 1.8 mΩ Miglioramento, 270 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R8-80SSFJ

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

6,24 €

(IVA esclusa)

7,61 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 1990 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i
Per Nastro
1 - 96,24 €
10 - 995,62 €
100 +5,17 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-460
Codice costruttore:
PSMN1R8-80SSFJ
Costruttore:
Nexperia
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

270A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

74nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

341W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

Ha-free and RoHS

Larghezza

8 mm

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Nexperia a canale N è qualificato per il funzionamento fino a 175°C ed è ideale per applicazioni industriali e consumer. Le applicazioni principali includono il raddrizzamento sincrono nei convertitori CA-CC e CC-CC, la commutazione del lato primario, il controllo dei motori BLDC, i circuiti full-bridge e half-bridge e la protezione delle batterie.

Forte classificazione energetica per le valanghe

Valanghe e testato al 100%

Esente da Ha e conforme a RoHS

Link consigliati