MOSFET Nexperia, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 798-2924
Codice costruttore:: PSMN1R8-30PL,127
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 798-2924
Codice costruttore:: PSMN1R8-30PL,127
Costruttore:: Nexperia

PSMN1R8-30PL, N-channel 30V, 1.8mΩ logic level MOSFET in TO-220 Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.15V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	270 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	170 nC a 10 V
Larghezza	4.7mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	16mm

MOSFET Nexperia, canale N, 1,8 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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