MOSFET Nexperia, canale Tipo N 80 V, 70 mΩ Miglioramento, 33 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie

Codice RS:: 153-0762
Codice costruttore:: BUK9M28-80EX
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 80 V, 70 mΩ Miglioramento, 33 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

540,00 €

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Codice RS:: 153-0762
Codice costruttore:: BUK9M28-80EX
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	LFPAK
	Serie	BUK9M2880E
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	70mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	15 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	75W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.1nC
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	2.6 mm
	Lunghezza	3.4mm
	Altezza	0.9mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 33A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package LFPAK
	Serie BUK9M2880E
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 15 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 75W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.1nC
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 2.6 mm
	Lunghezza 3.4mm
	Altezza 0.9mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET a canale N di livello logico da 28 mΩ, 80 V, in contenitore LFPAK33. MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK33 (Power33) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato e qualificato sulla base della norma AEC-Q101 per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni nel settore automobilistico.

Conforme a Q101

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C

Sistemi automobilistici a 12 V, 24 V e 48 V

Controllo di motori, lampade e solenoidi

Controllo della trasmissione

Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 80 V, 70 mΩ Miglioramento, 33 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie

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