MOSFET Nexperia, canale Tipo N 40 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 120 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN3R2-40YLDX

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Codice RS:
219-407
Codice costruttore:
PSMN3R2-40YLDX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

115W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il MOSFET a canale N Nexperia utilizza la tecnologia di giunzione Super TrenchMOS avanzata. Il contenitore è qualificato per 175 °C. È progettato per applicazioni di commutazione di potenza ad alte prestazioni. Le applicazioni principali includono l'automazione, la robotica, i convertitori c.c.-c.c., il controllo dei motori c.c. brushless, la commutazione del carico industriale, l'eFuse e la gestione degli inrush.

Bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore Power SO8 incollato con clip ad alta affidabilità e fissato a matrice di saldatura

Possibilità di saldatura a onda

Commutazione ultraveloce con recupero morbido

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