MOSFET Nexperia, canale Tipo N 100 V, 4.8 mΩ Miglioramento, 120 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie PSMN4R8-100BSEJ

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Codice RS:
219-429
Codice costruttore:
PSMN4R8-100BSEJ
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

PSM

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

405W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Minima temperatura operativa

25°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

278nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
Il transistor MOSFET a canale N Nexperia è caratterizzato da un RDS(on) molto basso e da prestazioni migliorate nell'area di funzionamento sicura. È ottimizzato per i controller a scambio a caldo, in grado di resistere a correnti di ingresso elevate e ridurre al minimo le perdite I2R per una maggiore efficienza. Le applicazioni includono la sostituzione a caldo, la commutazione del carico, l'avviamento soft e il fusibile elettronico.

SOA per un funzionamento in modalità lineare superiore

Contenitore LLFPAK88 per applicazioni che richiedono le più alte prestazioni

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