MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 1.3 mΩ Miglioramento, 265 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R1-30YLEX

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Codice RS:
219-433
Codice costruttore:
PSMN1R1-30YLEX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

265A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

LFPAK

Serie

PSMN1R1-30YLE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13nC

Dissipazione di potenza massima Pd

192W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH
L'ASFET a canale N N Nexperia è ottimizzato per un basso RDS on e una forte area di funzionamento sicura, il che lo rende ideale per le applicazioni di swap a caldo, inrush e in modalità lineare. È perfetto per fusibili elettronici, interruttori c.c., interruttori di carico e protezione delle batterie in sistemi da 12 V a 20 V.

Bassa dispersione inferiore a 1 μA a 25 °C

Clip in rame per bassa induttanza parassitaria e bassa resistenza

Contenitore LFPAK ad elevata affidabilità e qualificato fino a 175 °C

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