MOSFET onsemi, canale N, 1,3 mΩ, 235 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 185-9186
Codice costruttore:: NVMJS1D3N04CTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 1,3 mΩ, 235 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 185-9186
Codice costruttore:: NVMJS1D3N04CTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMJS1D3N04CTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	235 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	LFPAK8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	1,3 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.5V
Tensione di soglia gate minima	2.5V
Dissipazione di potenza massima	128 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Larghezza	4.9mm
Lunghezza	5mm
Carica gate tipica @ Vgs	65 nC @ 10 V.
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.2mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET onsemi, canale N, 1,3 mΩ, 235 A, LFPAK8, Montaggio superficiale

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