MOSFET onsemi, canale N 60 V, 1.3 Ω Miglioramento, 262 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMJS1D4N06CLTWG

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

5580,00 €

(IVA esclusa)

6810,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 25 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,86 €5.580,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
201-3407
Codice costruttore:
NTMJS1D4N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

262A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTMJS1D4N06CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

103nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5mm

Larghezza

1.3mm

Lunghezza

4.9mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N 60V ON Semiconductor è dotato di potenza industriale in un 5x6mm ed è utilizzato per un design compatto ed efficiente, con elevate prestazioni termiche incluse, inoltre, questi dispositivi sono privi di piombo e conformi alla direttiva RoHS.

Bassa riduzione al minimo delle perdite di conduzione

QG e capacità ridotti per ridurre al minimo le perdite di driver

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.