MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 1.3 Ω Miglioramento, 262 A, 8 Pin, LFPAK, Superficie NTMJS1D4N06CLTWG

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Codice RS:
201-3407
Codice costruttore:
NTMJS1D4N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

262A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Serie

NTMJS1D4N06CL

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.3Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

180W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

103nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

1.3 mm

Altezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N 60V ON Semiconductor è dotato di potenza industriale in un 5x6mm ed è utilizzato per un design compatto ed efficiente, con elevate prestazioni termiche incluse, inoltre, questi dispositivi sono privi di piombo e conformi alla direttiva RoHS.

Bassa riduzione al minimo delle perdite di conduzione

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