MOSFET onsemi, canale N, 21,5 mΩ, 36 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2543
Codice costruttore:: NVMYS014N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 21,5 mΩ, 36 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 195-2543
Codice costruttore:: NVMYS014N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMYS014N06CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	36 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	21,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	37 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	9,7 nC a 10 V
Larghezza	4.25mm
Tensione diretta del diodo	1.2V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.15mm
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101

MOSFET onsemi, canale N, 21,5 mΩ, 36 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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