MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 21.5 mΩ Miglioramento, 36 A, 4 Pin, LFPAK, Superficie NTMYS014N06CLTWG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
195-2529
Codice costruttore:
NTMYS014N06CLTWG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTMYS014N06CL

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

21.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.7nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.25 mm

Lunghezza

5mm

Altezza

1.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza per uso industriale in contenitore con cavo piatto 5x6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche.

Ingombro ridotto (5x6 mm) per un design compatto

Bassa resistenza RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione

Bass QG e capacità per ridurre le perdite di driver

Contenitore Lfpak4, Standard Industriale

Questi dispositivi sono senza piombo

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