MOSFET onsemi, canale N, 4,2 mΩ, 133 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 195-2513
Codice costruttore:: NVMYS3D3N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale N, 4,2 mΩ, 133 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 195-2513
Codice costruttore:: NVMYS3D3N06CLTWG
Costruttore:: onsemi

Datasheet NVMYS3D3N06CLTWG

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	133 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	4,2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	100 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	40,7 @ 10 V nC
Lunghezza	5mm
Altezza	1.15mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101

MOSFET onsemi, canale N, 4,2 mΩ, 133 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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