MOSFET Nexperia, canale N, 133 mΩ, 16,7 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 170-4900
- Codice costruttore:
- BUK9Y59-60E,115
- Costruttore:
- Nexperia
25425 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)
0,283 €
(IVA esclusa)
0,345 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,283 € | 424,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-4900
- Codice costruttore:
- BUK9Y59-60E,115
- Costruttore:
- Nexperia
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- PH
Dettagli prodotto
Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.
Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazione
MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK56 (Power SO8) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni del settore automobilistico.
Valori a valanga ripetitivi
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C
Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C
Sistemi automobilistici da 12 V
Controllo di motori, lampade e solenoidi
Controllo della trasmissione
Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate
Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C
Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C
Sistemi automobilistici da 12 V
Controllo di motori, lampade e solenoidi
Controllo della trasmissione
Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 16,7 A |
| Tensione massima drain source | 60 V |
| Serie | BUK9Y59 |
| Tipo di package | LFPAK, SOT-669 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 133 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 2.45V |
| Tensione di soglia gate minima | 0.5V |
| Dissipazione di potenza massima | 37 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | 10 V |
| Lunghezza | 5mm |
| Larghezza | 4.1mm |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 6,1 nC a 5 V |
| Massima temperatura operativa | +175 °C |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 |
| Altezza | 1.05mm |
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