MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 133 mΩ Miglioramento, 16.7 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

Codice RS:: 170-4900
Codice costruttore:: BUK9Y59-60E,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 133 mΩ Miglioramento, 16.7 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 1500 unità*

475,50 €

(IVA esclusa)

580,50 €

(IVA inclusa)

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Unità	Per unità	Per bobina*
1500 +	0,317 €	475,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 170-4900
Codice costruttore:: BUK9Y59-60E,115
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	16.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	LFPAK
	Serie	BUK9Y59
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	133mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	37W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	6.1nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	10V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	5mm
	Altezza	1.05mm
	Larghezza	4.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Nexperia
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 16.7A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package LFPAK
	Serie BUK9Y59
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 5
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 133mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 37W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.1nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 10V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 5mm
	Altezza 1.05mm
	Larghezza 4.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Paese di origine:: PH

Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazione

MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK56 (Power SO8) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni del settore automobilistico.

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C

Sistemi automobilistici da 12 V

Controllo di motori, lampade e solenoidi

Controllo della trasmissione

Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate

MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 133 mΩ Miglioramento, 16.7 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

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