MOSFET Nexperia, canale Tipo N 60 V, 133 mΩ Miglioramento, 16.7 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie

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Codice RS:
170-4900
Codice costruttore:
BUK9Y59-60E,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

LFPAK

Serie

BUK9Y59

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

133mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

37W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

10 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.1 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazione

MOSFET a canale N di livello logico in contenitore LFPAK56 (Power SO8) che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per l'uso in applicazioni ad alte prestazioni del settore automobilistico.

Valori a valanga ripetitivi

Idoneità per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C

Stadio pilota di livello logico reale con valore nominale VGS(th) superiore a 0,5 V a 175°C

Sistemi automobilistici da 12 V

Controllo di motori, lampade e solenoidi

Controllo della trasmissione

Commutazione di potenza con prestazioni estremamente elevate

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