MOSFET Nexperia, canale N, 8 mΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 166-1571
Codice costruttore:: PH8230E,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 8 mΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)**

0,772 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1500 +	0,772 €	1.158,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 166-1571
Codice costruttore:: PH8230E,115
Costruttore:: Nexperia

N-Ch. TRENCHMOS,30V,PH8230E
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	67 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	62,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	4.1mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 5 V
Lunghezza	5mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET Nexperia, canale N, 8 mΩ, 67 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, fino a 30 V.

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