MOSFET Nexperia, canale N, 40 mΩ, 184 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazione

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per l'uso in applicazioni critiche del settore automobilistico.

Basse perdite di conduzione grazie a una bassa resistenza in stato attivo adatto per sorgenti a stadio pilota di livello logico adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C carichi 12 V e 24 V sistemi per uso automobilistico alimentazione switching per impieghi generali, motori, lampade e solenoidi