MOSFET Nexperia, canale Tipo N 55 V, 1.03 mΩ Miglioramento, 330 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PSMN1R2-55SLHAX

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Codice RS:
219-464
Codice costruttore:
PSMN1R2-55SLHAX
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

330A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

MOSFETs

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.03mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

180nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

8 mm

Altezza

1.6mm

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MY
Il MOSFET Nexperia a canale N del portafoglio NextPowerS3, che utilizza l'esclusiva tecnologia SchottkyPlus di NXP, offre prestazioni ad alta efficienza e a basso picco, solitamente associate ai MOSFET con un diodo Schottky o simile a Schottky integrato, ma senza la problematica corrente di dispersione elevata. NextPowerS3 è particolarmente adatto ad applicazioni ad alta efficienza e ad alte frequenze di commutazione.

Valanghe e testato al 100%

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