MOSFET Nexperia, canale Tipo N 55 V, 40 mΩ Miglioramento, 184 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie BUK9Y19-55B,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
170-5335
Codice costruttore:
BUK9Y19-55B,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

184A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

BUK9Y19

Tipo di package

LFPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

40mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

15 V

Dissipazione di potenza massima Pd

85W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

1.05mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4.1 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
PH
Dall’attivazione di una semplice lampadina alle esigenze sofisticate di controllo della potenza in motori, corpi o telai, i semiconduttori di potenza Nexperia possono offrire la risposta a molti problemi di alimentazione nei sistemi automobilistici.

Adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale 175 °C nominale Applicazioni MOSFET: gestione servosterzo elettrico, generatore di avviamento integrato, controllo della trasmissione, sistema antibloccaggio (ABS), controllo climatizzazione

Transistor a effetto di campo (FET) in modalità potenziata a canale N di livello logico in contenitore in plastica che impiega la tecnologia TrenchMOS. Questo prodotto è stato progettato per l'uso in applicazioni critiche del settore automobilistico.

Basse perdite di conduzione grazie a una bassa resistenza in stato attivo adatto per sorgenti a stadio pilota di livello logico adatto per gli ambienti più difficili grazie alla temperatura nominale di 175 °C carichi 12 V e 24 V sistemi per uso automobilistico alimentazione switching per impieghi generali, motori, lampade e solenoidi

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