MOSFET Nexperia, canale Tipo N 30 V, 8 mΩ Miglioramento, 67 A, 5 Pin, LFPAK, Superficie PH8230E,115
- Codice RS:
- 509-150
- Codice costruttore:
- PH8230E,115
- Costruttore:
- Nexperia
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,32 €
(IVA esclusa)
6,49 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 08 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,064 € | 5,32 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 509-150
- Codice costruttore:
- PH8230E,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 67A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | PH8230E | |
| Tipo di package | LFPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.85V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 62.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Larghezza | 4.1 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 67A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie PH8230E | ||
Tipo di package LFPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.85V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 62.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.1mm | ||
Larghezza 4.1 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- PH
MOSFET a canale N, fino a 30 V.
Transistor MOSFET, NXP Semiconductors
Link consigliati
- MOSFET Nexperia 8 mΩ LFPAK Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 8 100 A SOT-669, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 18 76 A SOT-669, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 20 mΩ LFPAK Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 25 mΩ LFPAK Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 5 mΩ LFPAK Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 12 44 A SOT-669, Montaggio superficiale
- MOSFET Nexperia 2 100 A SOT-669, Montaggio superficiale
