- Codice RS:
- 152-5537
- Codice costruttore:
- PSMN8R5-60YS,115
- Costruttore:
- Nexperia
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Prezzo per 1pz in confezione da 25
1,347 €
(IVA esclusa)
1,643 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
25 - 100 | 1,347 € | 33,675 € |
125 - 225 | 0,943 € | 23,575 € |
250 - 600 | 0,822 € | 20,55 € |
625 - 1225 | 0,782 € | 19,55 € |
1250 + | 0,741 € | 18,525 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 152-5537
- Codice costruttore:
- PSMN8R5-60YS,115
- Costruttore:
- Nexperia
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET a canale N 40 V - 60 V. MOSFET di livello logico e standard in una varietà di contenitori. I MOSFET del nostro ampio portafoglio di dispositivi sono solidi e facili da usare nella gamma da 40 V a 60 V. Sono perfetti per applicazioni con criticità di spazio e alimentazione e forniscono eccellenti prestazioni di commutazione e SOA (safe operating area).
MOSFET a canale N LFPAK di livello standard da 60 V, 8 mΩ. MOSFET a canale N di livello standard in contenitore LFPAK qualificato per luso a 175 °C. Questo prodotto è progettato e qualificato per l'uso in un'ampia gamma di apparecchiature industriali, per le comunicazioni e domestiche.
Lavanzata tecnologia TrenchMOS fornisce RDSon e carica di gate basse
Guadagni di elevata efficienza in convertitori di potenza di commutazione
Caratteristiche meccaniche e termiche migliorate
LFPAK fornisce la massima densità di potenza in un contenitore Power SO8
Convertitori c.c.-c.c.
Protezione della batteria agli ioni di litio
Commutazione dei carichi
Controllo motori
Alimentatori server
Guadagni di elevata efficienza in convertitori di potenza di commutazione
Caratteristiche meccaniche e termiche migliorate
LFPAK fornisce la massima densità di potenza in un contenitore Power SO8
Convertitori c.c.-c.c.
Protezione della batteria agli ioni di litio
Commutazione dei carichi
Controllo motori
Alimentatori server
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 76 A |
Tensione massima drain source | 60 V |
Tipo di package | LFPAK, SOT-669 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 4 |
Resistenza massima drain source | 18,4 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 3.8V |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 106 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | 20 V |
Larghezza | 4.1mm |
Massima temperatura operativa | +175 °C |
Lunghezza | 5mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 39 nC a 10 V |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 1.05mm |
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