MOSFET Nexperia, canale N 60 V, 17.8 mΩ Miglioramento, 59 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie PSMN012-60YS,115

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
798-2823
Codice costruttore:
PSMN012-60YS,115
Costruttore:
Nexperia
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Marchio

Nexperia

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

28.4nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

89W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.1mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
PH

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia


Transistor MOSFET, NXP Semiconductors


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