MOSFET Nexperia, canale N, 17,8 mΩ, 59 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

Codice RS:: 798-2823
Codice costruttore:: PSMN012-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 17,8 mΩ, 59 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 798-2823
Codice costruttore:: PSMN012-60YS,115
Costruttore:: Nexperia

PSMN012-60YS, N-channel 60V, 11.1mΩ standard level MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	59 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	LFPAK, SOT-669
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	4
Resistenza massima drain source	17,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	89 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	28,4 nC a 10 V
Lunghezza	5mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.1mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 17,8 mΩ, 59 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia

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