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    MOSFET Nexperia, canale N, 17,8 mΩ, 59 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale

    Prezzo per Unità (Su Bobina da 1500)

    0,685 €

    (IVA esclusa)

    0,836 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
    Unità
    Per unità
    Per bobina*
    1500 +0,685 €1.027,50 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    124-2405
    Codice costruttore:
    PSMN012-60YS,115
    Costruttore:
    Nexperia

    Paese di origine:
    PH
    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain59 A
    Tensione massima drain source60 V
    Tipo di packageLFPAK, SOT-669
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin4
    Resistenza massima drain source17,8 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima4V
    Tensione di soglia gate minima2V
    Dissipazione di potenza massima89 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-20 V, +20 V
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza4.1mm
    Carica gate tipica @ Vgs28,4 nC a 10 V
    Materiale del transistorSi
    Lunghezza5mm
    Massima temperatura operativa+175 °C
    Altezza1.1mm
    Minima temperatura operativa-55 °C

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